 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 1,862*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,36*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 310 A TSDSO 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSO Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 24 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
|
od PLN 7,393*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 19,00*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A DO-LL-HV 600 V SMD 54 miliomy (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = STO67N60M6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
ST Microelectronics STO67N60M6 |
od PLN 15,621*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB65R110CFDAATMA1 |
od PLN 15 275,32*
za 1 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 101,85*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 320 A D2PAK-7 40 V SMD 0.0016 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 320 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 7 514,816*
za 800 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,397*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A Rura 750 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny |
ROHM Semiconductor SCT4045DEC11 |
od PLN 27,226*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP65R110CFDAAKSA1 |
od PLN 19,938*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 91,09*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology DN2540N5-G |
od PLN 5,66*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,23*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 1,7A; Idm: 11A (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 136mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj o... |
|
od PLN 0,60*
za szt. |
|
|
