|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1952664 Nr producenta:
NTMFSC0D9N04CL EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Ten N-kanałowy MOSFET jest wytwarzany w oparciu o Advanced Power Trench® FIRMY ON Semiconductor. W połączeniu z rozwiązaniami technologicznymi Silicon i Dual Cool™ zastosowano rozwiązania zapewniające najniższy poziom sygnału RDS(on) przy zachowaniu doskonałej wydajności przełączania dzięki bardzo niskiej odporności na temperaturę otoczenia.Top i Bottom sided Lepsze rozpraszanie ciepła przez Top i Bottom bok obudowy Bardzo niski sygnał RDS-ON Zmniejszenie strat przewodzenia Zmniejszenie zdolności i indukcyjności zespołu Zmniejszenie strat związanych z przełączaniem Zastosowanie Prostownik synchroniczny w zasilaczach AC-DC i DC-DC Przełącznik Silnika Przełącznik obciążenia Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 313 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 850 μΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 167 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1952664, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFSC0D9N04CL |
| | |
| |