 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 272W (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 272W ... |
Nexperia PSMN1R8-40YLC,115 |
od PLN 4,55*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 342 A TO-263-7 60 V SMD 0.0011 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET ON Semiconductor 60 V wykorzysta prąd odpływowy 342A z pojedynczym kanalem N. Charakteryzuje się niższym poziomem szumów przełączania/EMI i zminimalizowaniem strat przewodzenia.Ni... |
|
od PLN 39,871*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 89,42*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 33,8 A PowerPAK SO-8 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Roz... |
|
od PLN 2,505*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,46*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 153,55*
za 50 szt. |
|
|
|
Infineon BSC030N04NSGATMA1 |
od PLN 1,48*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na ... |
Infineon IPB35N10S3L26ATMA1 |
od PLN 5,035*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,06*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,15*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology TN2640LG-G |
od PLN 5,54*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPTC014N08NM5ATMA1 |
od PLN 15,198*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,856*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na ... |
|
od PLN 24,147*
za szt. |
|
|
