![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n... |
|
od PLN 29 855,32* za 2 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,53* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 23,377* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 333 A HSOF-8 80 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 333 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPT013N08NM5LFATMA1 |
od PLN 14,315* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 11A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ... |
|
od PLN 2,73* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 4,564* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A Rura 750 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny |
ROHM Semiconductor SCT4045DRC15 |
od PLN 27,236* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,35* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0... |
|
od PLN 12,77* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 20A; 27W; DPAK (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 27W Polaryzacja: unipolarny... |
|
od PLN 0,97* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,765* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 328,97025* za 75 szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,81* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 1200 V 0,08 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0... |
Infineon AIMW120R080M1XKSA1 |
od PLN 10 055,1504* za 240 szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,53* za szt. |
|
|