Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 666 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 34 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIHK065N60E-T1-GE3
od PLN 29 855,32*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTA220N04T2
od PLN 8,53*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R060C7XKSA1
od PLN 23,377*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 333 A HSOF-8 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 333 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPT013N08NM5LFATMA1
od PLN 14,315*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 11A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ...
onsemi
FDS4672A
od PLN 2,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
AUIRFR540ZTRL
od PLN 4,564*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A Rura 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4045DRC15
od PLN 27,236*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 340W P...
IXYS
IXTA230N04T4
od PLN 8,35*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 12,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 20A; 27W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 27W Polaryzacja: unipolarny...
Toshiba
TK20P04M1,RQ(S
od PLN 0,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 335 A PowerPAK SO-8 25 V SMD 0.00058 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 335 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SIRA20BDP-T1-GE3
od PLN 2,765*
za szt.
 
 szt.
Infineon
AUIRFR540Z
od PLN 328,97025*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 180A; 200W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 180A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rol...
Infineon
AUIRF1404ZSTRL
od PLN 6,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 1200 V 0,08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
Infineon
AIMW120R080M1XKSA1
od PLN 10 055,1504*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 230A; 40W; TO220FP; 32ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W ...
IXYS
IXTP230N04T4M
od PLN 6,53*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.