Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 920 195 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W...
IXYS
IXTA220N04T2-7
od PLN 16,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350 mA SOT-223 240 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 350 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 240 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ...
Infineon
BSP129H6906XTSA1
od PLN 1,432*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-220 FP 40 V 0.0041 Ω (2 ofert) 
Ten tranzystor MOSFET Infineon OptiMOS 3 oferuje nie tylko najniższe w branży moduły R DS (włączone), ale także doskonałe funkcje przełączania dla szybkich aplikacji przełączających. Technologia ci...
Infineon
IPA041N04NGXKSA1
od PLN 2,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS014N06CLTWG
od PLN 5,61*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon
IPP048N04NGXKSA1
od PLN 2,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,7A; 1,6W; SOT89-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89-3 Napięcie dren-źródło: 500V Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolarn...
Microchip Technology
DN2450N8-G
od PLN 3,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A 3 x 3FS 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = 3 x 3FS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 12 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIZF4800LDT-T1-GE3
od PLN 4,533*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 230A; 40W; TO220FP; 32ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W ...
IXYS
IXTP230N04T4M
od PLN 6,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350 mA SOT-563 50 V SMD 4,5 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 350 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = SOT-563 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Diodes
DMN53D0LV-7
od PLN 0,871*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Po...
Infineon
IPC70N04S5L-4R2
od PLN 2,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A SOIC 40 V SMD 0.0039 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Vishay
SI4154DY-T1-GE3
od PLN 2,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 82A; 176W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB240L
od PLN 4,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350 mA TO-39 90 V Pojedynczy 6,25 W 5 omów (2 ofert) 
2N6661 to tranzystor trybu wzmocnienia (normalnie wyłączony), w którym zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwo...
Microchip Technology
2N6661
od PLN 53,634*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Przemysłowy układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne.Kompaktowa konstr...
onsemi
NTMYS014N06CLTWG
od PLN 5,175*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 246A; 132W; SOP8A (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOP8A Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 246A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 132W Polaryzacja: unipol...
Toshiba
TPH1R204PL,L1Q(M
od PLN 3,63*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.