| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282934 Nr producenta: SiZ254DT-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 32.5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 70 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0161 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.4V Liczba elementów na układ = 2 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 32.5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70 V | Typ opakowania: | PowerPAIR 3 x 3S | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0161 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.4V | Liczba elementów na układ: | 2 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282934, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiZ254DTT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |