Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (23 033 ofert spośród 4 841 302 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 30 A PowerPAK SO-8L podwójny 40 V SMD 0.0059 Ω (1 Oferta) 
Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8L.Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS
Vishay
SQJ912DEP-T1_GE3
od PLN 1,589*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5A; 0,72W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,72W Polaryzac...
Diodes
DMN3042L-7
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A PowerPAK SO-8L podwójny 40 V SMD 0.0059 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L podwójny Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna r...
Vishay
SQJ912DEP-T1_GE3
od PLN 1,727*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5,8A; Idm: 60A; 1,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Polaryzacj...
Diodes
DMN3018SSS-13
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 600 V Pojedynczy 35 W 100 miliomów (2 ofert) 
E Series Power MOSFET.4. generacji z serii E z technologią Niska wartość FOM Ron x Qg Niska skuteczność reaktancja (Co(er) ZASTOSOWANIA Zasilacze serwerowe i telekomunikacyjne Zasilacze impulsowe (...
Vishay
SIHA100N60E-GE3
od PLN 12,369*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-252 120 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPD30N12S3L31ATMA1
od PLN 2,843*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 4,1A; 1,1W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI2336DS-T1-GE3
od PLN 0,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ...
Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1
od PLN 1,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5A; 1,4W; SC59 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SC59 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W Polaryzacja...
Diodes
DMN3033LSN-7
od PLN 0,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Pola...
Infineon
IPD050N03LGATMA1
od PLN 1,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
NTPF095N65S3H
od PLN 17 986,56*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 4A; 0,77W; SOT323 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,77W Polaryza...
Diodes
DMN3065LW-13
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-252 55 V SMD 0.023 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPD30N06S223ATMA2
od PLN 3,217*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 4,8A; 1,33W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,33W Polaryz...
Diodes
DMG3404L-7
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN4 8 x 8 650 V SMD 0.11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTMT110N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
onsemi
NTMT110N65S3HF
od PLN 22,718*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.