| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2105049 Nr producenta: SQJ912DEP-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L podwójny Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0059 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.5 → 2.5V Liczba elementów na układ = 2 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L podwójny | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0059 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5 → 2.5V | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2105049, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQJ912DEPT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |