Tranzystory MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 777/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 64A; 110W; D2PAK (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 64A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...

Infineon

IRL3103STRLPBF

od PLN 2 942,944*
za 800 szt.

MOSFET N-kanałowy 300 A HSOF-8 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IAUT300N08S5N014ATMA1

od PLN 8,469*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5A; 2,3W; WSON6; 2x2mm (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: WSON6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,3W Polaryzacj...

Texas Instruments

CSD87502Q2T

od PLN 2,76*
za szt.

Infineon BSC012N06NS tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

BSC012N06NSATMA1

od PLN 5,95948*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5,8A; 2W; SOT26 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacj...

Diodes

DMN3033LDM-7

od PLN 0,44*
za szt.

Infineon IPD30N06S2-15 tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IPD30N06S215ATMA2

od PLN 2,444*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 8,5A; 2,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Po...

Alpha & Omega Semiconductor

AOSP32320C

od PLN 0,54*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 300 A HSOF-8 100 V SMD 0.0015 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1

od PLN 15,208*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 300 A LFPAK8 40 V SMD Pojedynczy 166 W 920 mikroomów (1 Oferta)

Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm) Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika Pakiet LFPA...

onsemi

NTMJS1D0N04CTWG

od PLN 17 872,65*
za 3 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 31 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na ...

Infineon

IPB60R070CFD7ATMA1

od PLN 19,908*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 500mA; Idm: 4A; SC70,SOT323 (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 416mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...

Nexperia

PMF250XNEX

od PLN 0,26*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 30 A TO-263-7 1200 V SMD 80 MO (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 80...

ROHM Semiconductor

SCT3080KW7TL

od PLN 54 508,16*
za 1 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 254W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDP8860

od PLN 5,29*
za szt.