Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (23 033 ofert spośród 4 841 302 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 59A; 17W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 59A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 17W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6360
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247 650 V Pojedynczy 240 W 110 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTHL110N65S3F
od PLN 13,024*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 300 A HSOF-8 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPT012N08N5ATMA1
od PLN 19,278*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TSDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Pol...
Infineon
BSZ050N03MSGATMA1
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
R6530KNX3C16
od PLN 9,365*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC050N03LSGATMA1
od PLN 1,156*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTHL095N65S3H
od PLN 23,518*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4 650 V 0.09 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = TK090Z65Z Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Toshiba
TK090Z65Z,S1F(O
od PLN 36,206*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
SPD50N03S207GBTMA1
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 300 A Luzem 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Luzem Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM300D12P3E005
od PLN 5 219,124*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ035N03LSGATMA1
od PLN 1,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220SIS 650 V 0.09 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = TK090A65Z Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.09 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzen...
Toshiba
TK090A65Z,S4X(S
od PLN 18,567*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 6A; 1W; SOT23F (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT23F Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny...
Toshiba
SSM3K333R,LF(B
od PLN 1,71*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTH4LN095N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
onsemi
NTH4LN095N65S3H
od PLN 25,444*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5A; 1,6W; SuperSOT-6 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDC653N
od PLN 1,15*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.