Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 95 A PowerPAK SO-8DC 100 V SMD 0.004 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystan...
Vishay
SiDR170DP-T1-RE3
od PLN 4,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipol...
Toshiba
TK6A80E,S4X(S
od PLN 4,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 900 mA SOT-23 30 V SMD 0,73 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 900 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3731 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Diodes
DMN3731U-7
od PLN 0,345*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 850V; 14A; 460W; TO220AB; 116ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXFP14N85X
od PLN 14,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 6A; 45W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMP09N65C2
od PLN 0,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0073 O. (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET serii DiodesZetex DMNH6009SPS został zaprojektowany tak, aby zminimalizować rezystancję podczas pracy, utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem...
Diodes
DMNH6009SPS-13
od PLN 3,426*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 3,2A; 83W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W P...
Infineon
IPD90R1K2C3BTMA1
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN80R360P7XKSA1
od PLN 4,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 900 mA SOT-323 20 V SMD 0.45 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMN2710UWQ-7
od PLN 0,464*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 218ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89...
IXYS
IXFT50N85XHV
od PLN 49,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 6A; 6W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 980mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 6W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMF09N65C2
od PLN 1,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A PowerPAK SO-8DC 100 V SMD 0.004 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8DC.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Bardzo niska wartość RDS x QG (FOM) Dostrojony do najniższego RDS x Qoss FOM 100 % b...
Vishay
SiDR170DP-T1-RE3
od PLN 5,017*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A TO-247AC 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
SIHG026N60EF-GE3
od PLN 57,904*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W P...
Infineon
SPP08N80C3
od PLN 7,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 91 A HiP247-4 1200 V 0.03 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 91 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
od PLN 296,797*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1011   1012   1013   1014   1015   1016   1017   1018   1019   1020   1021   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.