| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2139197 Nr producenta: DMNH6009SPS-13 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET serii DiodesZetex DMNH6009SPS został zaprojektowany tak, aby zminimalizować rezystancję podczas pracy, utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji do zarządzania energią o wysokiej wydajności.100% niezaciskany test przełącznika indukcyjnego w produkcji Niski poziom RDS – zmniejsza straty mocy Niska wartość QG – zmniejsza straty przy przełączaniu Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 95 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PowerDI5060-8 | Seria: | DMNH6009SPS | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0073 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2139197, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMNH6009SPS13 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |