| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2104955 Nr producenta: SiDR170DP-T1-RE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8DC.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Bardzo niska wartość RDS x QG (FOM) Dostrojony do najniższego RDS x Qoss FOM 100 % badanych RG i UIS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 95 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8DC | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.004 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1 → 2.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2104955, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiDR170DPT1RE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |