Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 818 ofert spośród 5 018 201 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,75A; 40W; TO263HV; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W ...
IXYS
IXTA05N100HV
od PLN 10,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 36A; 150W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTR62N15P
od PLN 14,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 4 A IPAK (TO-251) 950 V 2 O. (1 Oferta) 
Infineon IPU95R2K0P7 zaprojektowany z myślą o zaspokojeniu rosnących potrzeb klientów w zakresie tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, najnowsza technologia 950V Cool MOS P7 skupia się na rynku S...
Infineon
IPU95R2K0P7AKMA1
od PLN 1,338*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 30 A ThinPAK 5 x 6 650 V SMD 0.36 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IPL60R360P6SATMA1
od PLN 4,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN D2PAK (TO-263) 80 V Montaż powierzchniowy 20 A MJB44H11T4-A (1 Oferta) 
Dwa ŹRÓDŁOWE STEROWNIKI WYJŚCIOWE/SINK Zablokowanie PWM w celu zapobiegania wielokrotnemu przewodowi Impulsowe WYŁĄCZANIE IMPULSOWEGO Wewnętrzny MIĘKKI START Działanie 8-35 V. Zakres oscylacyjny 10...
ST Microelectronics
MJB44H11T4-A
od PLN 2,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 60W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXTP08N100D2
od PLN 5,95*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPZA60R120P7XKSA1
od PLN 12,435*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 40A; 125W; DFN8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDMS86200DC
od PLN 8,583*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 40 V SMD 0.0048 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
od PLN 1,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 363 A TO-263-7 60 V SMD 0.00095 O. (1 Oferta) 
Najnowsze tranzystory MOSFET o mocy 60 V firmy Infineon o dużej mocy IRFET są zoptymalizowane pod kątem wysokich i niskich RDS (WŁ.), co czyni je idealnym rozwiązaniem do zastosowań wymagających du...
Infineon
IRF60SC241ARMA1
od PLN 11,002*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 36A; 104W; PQFN8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDMS86200
od PLN 5,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN DFN2020-3S (HUML2020L3) 120 V SMD 2,5 A 2SCR567F3TR (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 120 V Typ opakowania = DFN2020-3S (HUML2020L3) Typ montażu = SMD Minimalne wzmocnienie prądu DC = 120
ROHM Semiconductor
2SCR567F3TR
od PLN 1,611*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 60W; TO263HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXTA08N100D2HV
od PLN 9,32*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB065N10N3GATMA1
od PLN 3 538,03*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPA075N15N3GXKSA1
od PLN 14,43*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.