Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 576/1 388)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,75A; 40W; TO263HV; 710ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W ...

IXYS

IXTA05N100HV

od PLN 10,21*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 36A; 150W; ISOPLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...

IXYS

IXTR62N15P

od PLN 14,54*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 4 A IPAK (TO-251) 950 V 2 O. (1 Oferta)

Infineon IPU95R2K0P7 zaprojektowany z myślą o zaspokojeniu rosnących potrzeb klientów w zakresie tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, najnowsza technologia 950V Cool MOS P7 skupia się na rynku S...

Infineon

IPU95R2K0P7AKMA1

od PLN 1,338*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 30 A ThinPAK 5 x 6 650 V SMD 0.36 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Infineon

IPL60R360P6SATMA1

od PLN 4,74*
za szt.

Tranzystor NPN D2PAK (TO-263) 80 V Montaż powierzchniowy 20 A MJB44H11T4-A (1 Oferta)

Dwa ŹRÓDŁOWE STEROWNIKI WYJŚCIOWE/SINK Zablokowanie PWM w celu zapobiegania wielokrotnemu przewodowi Impulsowe WYŁĄCZANIE IMPULSOWEGO Wewnętrzny MIĘKKI START Działanie 8-35 V. Zakres oscylacyjny 10...

ST Microelectronics

MJB44H11T4-A

od PLN 2,143*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 60W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipolarny...

IXYS

IXTP08N100D2

od PLN 5,95*
za szt.

Infineon IPZA60R120P7 tranzystor 650 V (1 Oferta)

Infineon

IPZA60R120P7XKSA1

od PLN 12,435*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 40A; 125W; DFN8 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarn...

onsemi

FDMS86200DC

od PLN 8,583*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 40 V SMD 0.0048 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

od PLN 1,06*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 363 A TO-263-7 60 V SMD 0.00095 O. (1 Oferta)

Najnowsze tranzystory MOSFET o mocy 60 V firmy Infineon o dużej mocy IRFET są zoptymalizowane pod kątem wysokich i niskich RDS (WŁ.), co czyni je idealnym rozwiązaniem do zastosowań wymagających du...

Infineon

IRF60SC241ARMA1

od PLN 11,002*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 36A; 104W; PQFN8 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FDMS86200

od PLN 5,03*
za szt.

Tranzystor NPN DFN2020-3S (HUML2020L3) 120 V SMD 2,5 A 2SCR567F3TR (1 Oferta)

Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 2,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 120 V Typ opakowania = DFN2020-3S (HUML2020L3) Typ montażu = SMD Minimalne wzmocnienie prądu DC = 120

ROHM Semiconductor

2SCR567F3TR

od PLN 1,611*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 60W; TO263HV (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipolarny...

IXYS

IXTA08N100D2HV

od PLN 9,32*
za szt.

Infineon IPB065N10N3 G tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IPB065N10N3GATMA1

od PLN 3 538,03*
za 1 000 szt.

Infineon IPA075N15N3 G tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPA075N15N3GXKSA1

od PLN 14,43*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 571 572 573 574 575 576 577 578 579 580 581 .. 1388 Dalej

Tranzystor (20 818 ofert spośród 5 018 201 artykułów)

"Tranzystor"