Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 883 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET P-kanałowy 127 ma XDFN3 20 V 10 omów (1 Oferta) 
Tranzystor ON Semiconductor Power Single N-Channel Power MOSFET działa przy napięciu -127 miliamperów i -20 woltów. Może być używany w zastosowaniach z małym obciążeniem sygnałowym, szybkim przełąc...
onsemi
NTNS2K1P021ZTCG
od PLN 5 122,24*
za 8 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 64ns Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W P...
IXYS
IXTA110N12T2
od PLN 8,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 4 A IPAK (TO-251) 950 V 2 O. (1 Oferta) 
Infineon IPU95R2K0P7 zaprojektowany z myślą o zaspokojeniu rosnących potrzeb klientów w zakresie tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, najnowsza technologia 950V Cool MOS P7 skupia się na rynku S...
Infineon
IPU95R2K0P7AKMA1
od PLN 2,911*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 60A; 320W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 60A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rol...
Infineon
IRFS52N15DTRRP
od PLN 2 902,384*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPG20N10S4L35AATMA1
od PLN 2,421*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 90ns Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 325W Po...
IXYS
IXTA80N12T2
od PLN 7,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 363 A TO-263-7 60 V SMD 0.00095 O. (1 Oferta) 
Najnowsze tranzystory MOSFET o mocy 60 V firmy Infineon o dużej mocy IRFET są zoptymalizowane pod kątem wysokich i niskich RDS (WŁ.), co czyni je idealnym rozwiązaniem do zastosowań wymagających du...
Infineon
IRF60SC241ARMA1
od PLN 11,082*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF135B203
od PLN 6,217*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB100N08S2L07ATMA1
od PLN 10 737,01*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 65ns Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 577W...
IXYS
IXTP140N12T2
od PLN 13,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 40 V SMD 0.0048 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
od PLN 2,366*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPG20N04S4L07AATMA1
od PLN 13 777,45*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 130V; 1A; Idm: 3,3A; 1,26W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,26W Polaryz...
Diodes
DMN13H750S-7
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 40 A DirectFET izometryczny 40 V SMD 0.0035 O. (1 Oferta) 
Rodzina tranzystorów Infineon strong IRFET Power MOSFET została zoptymalizowana pod kątem niskiego poziomu RDS (włączony) i wysokiego natężenia prądu. Urządzenia te są idealne do zastosowań o niski...
Infineon
IRF6613TRPBF
od PLN 4,161*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1500V; 2,5A; 100W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: RENESAS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Polaryzacja: unipolar...
Renesas
2SK1317-E
od PLN 17,84*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.