Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 883 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 19,5 A D2PAK (TO-263) 1200 V SMD 225 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 19,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = NTB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
onsemi
NTBG160N120SC1
od PLN 16,583*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 130A; 390W; TO220AB; 80ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 80ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W ...
IXYS
IXFP130N15X3
od PLN 21,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 9,4 A IPAK (TO-251) 700 V 1.2 O. (1 Oferta) 
Infineon opracował serię SUPER JUJUNKT MOSFET 700 V Cool MOS P7, aby służyć współczesnym, a zwłaszcza przyszłym trendom w topologiach „fly back”;. Rozwiązanie to jest przeznaczone dla rynku SMPS o ...
Infineon
IPSA70R1K2P7SAKMA1
od PLN 1,533*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 42W; TO252; 750ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 750ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Pol...
IXYS
IXTY08N100P
od PLN 7,13*
za szt.
 
 szt.
Infineon AUIRFR48Z tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
AUIRFR48ZTRL
od PLN 15 194,13*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 20A; 135W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 146mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDP2572
od PLN 4,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 87 A TO-220 FP 650 V 0.125 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 87 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPA60R125P6XKSA1
od PLN 10,266*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 66W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQPF45N15V2
od PLN 5,40*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPG20N10S4L-35 tranzystor 100 V (1 Oferta)
Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1
od PLN 11,73*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 90 A TO-252 60 V SMD 0.0069 O. (1 Oferta) 
Infineon oferuje szeroką gamę tranzystorów MOSFET o mocy 55V-60V z kanałów N, przeznaczonych do zastosowań motoryzacyjnych, wykorzystujących nową technologię OptiMOS w różnych pakietach i oferujący...
Infineon
IPD90N06S407ATMA2
od PLN 3,511*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1,6A; 100W; TO263; 11ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 11ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Pol...
IXYS
IXTA1R6N100D2
od PLN 6,56*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPU80R750P7 tranzystor 800 V (2 ofert)
Infineon
IPU80R750P7AKMA1
od PLN 2,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 53mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Po...
Infineon
IPB530N15N3GATMA1
od PLN 2,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 90 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0035 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 90 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPC90N04S53R6ATMA1
od PLN 2,977*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 32A; 41,5W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 41...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6250
od PLN 3,97*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.