| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2207435 Nr producenta: IPL60R360P6SATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.36 O. Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | ThinPAK 5 x 6 | Seria: | CoolMOS™ P6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.36 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Dioda SMD, Diody SMD, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, dioda smd, 2207435, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPL60R360P6SATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |