Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 25A; 150W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzac...
ST Microelectronics
STB40NF10LT4
od PLN 3,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 107 A PG-TO263-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 107 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005571698
od PLN 3 999,24*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 14,4A; 30W; DirectFET (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DirectFET Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 14,4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
Infineon
IRF7665S2TRPBF
od PLN 25 440,432*
za 4 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
SP005559297
od PLN 24,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 157A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDPF2D3N10C
od PLN 12,986*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny wysokonapięciowy PNP SOT-323 -120 V Montaż powierzchniowy 50 mA 2SA1579U3T106 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 50 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -120 V Typ opakowania = SOT-323 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba element...
ROHM Semiconductor
2SA1579U3T106
od PLN 0,243*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 12A; 310W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 310W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDP3632
od PLN 8,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 129 A PG-TO252-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 129 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005737450
od PLN 5,406*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRFP140N tranzystor 40 V (3 ofert)
Infineon
IRFP140NPBF
od PLN 3,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 110 A DFN5 80 V SMD 0,004 oma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET „ON Semiconductor N”; jest wyposażony w prąd o napięciu 110 A i napięciu 80 V. Niewielkie wymiary pozwalają na niewielkie rozmiary i niski poziom sygnału RDS(ON), co minimalizuje ...
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
od PLN 5,067*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 105W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2987
od PLN 10,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 135 A PG-TO263-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 135 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005741998
od PLN 2 664,904*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3,3x3,3mm (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzacj...
Texas Instruments
CSD19538Q3AT
od PLN 2,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona NPN 100 V DC Otwór przezierny TO-220 Pojedynczy (2 ofert) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A DC Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 100 V DC Maksymalne napięcie emiter-baza = 5 V DC Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór ...
onsemi
MJF6388G
od PLN 4,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 67ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360...
IXYS
IXTP130N10T
od PLN 7,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.