Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 110 A DFN5 80 V SMD 0,004 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = NVM Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
od PLN 4,876*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W Polaryza...
Texas Instruments
CSD19536KTTT
od PLN 16,86*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP034NE7N3GXKSA1
od PLN 7,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 117 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 117 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005742004
od PLN 5,864*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 130A; 360W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFA130N10T2
od PLN 11,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN TSFP-4-1 4,2 V Montaż powierzchniowy 45 mA BFP740H6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 45 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 4,2 V Typ opakowania = TSFP-4-1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP740H6327XTSA1
od PLN 0,902*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 12,7A; 33,8W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 12,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33,8W Polaryzacja: u...
onsemi
FDPF3860T
od PLN 2,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 118 A PG-TO252-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 118 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005737451
od PLN 5,381*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1
od PLN 8,115*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 119 A PG-TO220-3 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 119 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
SP005550839
od PLN 4,139*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD78CN10NGATMA1
od PLN 1,157*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN TSLP-3-1 12 V Montaż powierzchniowy 80 mA BFR193L3E6327XTMA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 12 V Typ opakowania = TSLP-3-1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementó...
Infineon
BFR193L3E6327XTMA1
od PLN 1,263*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-7 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
Infineon
IPB027N10N3GATMA1
od PLN 9,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TO220 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Typ opakowania = PG-TO220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPP120N10S405AKSA1
od PLN 11,218*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 21A; 100W; DPAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD25NF10T4
od PLN 1,77*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.