Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryzacja...
Nexperia
PSMN027-100PS,127
od PLN 3,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 236 A PG-HSOF-8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 236 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005679731
od PLN 15,089*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 103 A PQFN8 60 V SMD 0,0039 oma (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET ON Semiconductor pracuje przy napięciu 40 V i natężeniu 150 A. Może być używany w przetwornikach obniżających DC-DC, punktach obciążenia, przełącznikach o wysokiej w...
onsemi
NTTFS3D7N06HLTWG
od PLN 3,474*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 150A; 300W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
Texas Instruments
CSD19535KCS
od PLN 8,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 13 A TO-220 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
SP005559297
od PLN 23,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3,1A; Idm: 8A; 1,6W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 126mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SI2392ADS-T1-GE3
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 139 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005742001
od PLN 6,641*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3A; Idm: 121A; 1,2W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL03G10A
od PLN 0,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 24 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
IAUC24N10S5L300ATMA1
od PLN 2,609*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 16A; 830W; TO247-3; 940ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 940ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W...
IXYS
IXTH16N10D2
od PLN 44,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 109 A PG-TO220-3 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 109 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
SP005550852
od PLN 1 730,47*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3,3x3,3mm (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzacj...
Texas Instruments
CSD19538Q3AT
od PLN 2,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 135 A PG-TO263-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 135 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005741998
od PLN 2 662,68*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3,4A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 151mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4486
od PLN 1,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
od PLN 3,102*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.