Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 187 ofert spośród 4 839 301 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 31 A TSDSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TSDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1
od PLN 9,075*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 36A; 75W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB414
od PLN 2,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 179 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 179 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISC030N10NM6ATMA1
od PLN 29 994,10*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 35A; 54W; DPAK (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzacja: unipolarny...
onsemi
FDD86102LZ
od PLN 2,826*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 36 A SuperSO8 5 x 6 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSC430N25NSFDATMA1
od PLN 15,408*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 59ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176W Po...
IXYS
IXTA60N10T
od PLN 5,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 259 A PG-TO263-7 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 259 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005578885
od PLN 5 751,752*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3A; 1,6W; SOT89-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89-3 Napięcie dren-źródło: 100V Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolar...
Microchip Technology
TN2510N8-G
od PLN 4,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 34 A PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Typ opakowania = PG-TO252-3
Infineon
IPD320N20N3GATMA1
od PLN 7,704*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB180N10S402ATMA1
od PLN 12,795*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 360A; 1250W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFK360N10T
od PLN 36,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 38 A WQFN12 60 V 9 omów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = NTTF Liczba styków = 12 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 9 omów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Ma...
onsemi
NTTFD9D0N06HLTWG
od PLN 4,082*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 282 A PG-TO263-7 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 282 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005578878
od PLN 7 355,92*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4,3A; Idm: 17A; 25W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: un...
Vishay
IRLU110PBF
od PLN 1,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 365 A. DFN 25 V SMD 0.00068 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 365 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = NTMFS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
onsemi
NTMFS0D8N02P1ET1G
od PLN 5,491*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1413   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.