Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 545/1 394)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 170 A PG-TO263-3 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005571690

od PLN 8,689*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 48A; 45,5W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45,...

Alpha & Omega Semiconductor

AONS62920

od PLN 1,97*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 38 A WQFN12 60 V 9 omów (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = NTTF Liczba styków = 12 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 9 omów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Ma...

onsemi

NTTFD9D0N06HLTWG

od PLN 4,072*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 2,8A; 2,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,122Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipola...

onsemi

FDS3692

od PLN 1,75*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A PG-HDSOP-22 600 V SMD, montaż powierzchniowy (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-HDSOP-22 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005559294

od PLN 25,02*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...

IXYS

IXTX200N10L2

od PLN 97,68*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 17 A TO-247-4 1200 V 0,16 oma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = NVH Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,16 om...

onsemi

NVHL160N120SC1

od PLN 46,706*
za szt.

Infineon IPB180N06S4-H1 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPB180N06S4H1ATMA2

od PLN 7,728*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 49,5A; 214W; TO3PN (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 49,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FQA70N10

od PLN 7,09*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 44 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...

Infineon

BSC146N10LS5ATMA1

od PLN 4,131*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipo...

IXYS

IXFX200N10P

od PLN 43,29*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A WDFN 80 V SMD 0,05 oma (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET „ON Semiconductor N”; jest wyposażony w prąd o napięciu 14 A i napięciu 80 V. Niewielkie wymiary pozwalają na niewielkie rozmiary i niski poziom sygnału RDS(ON), co minimalizuje s...

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

od PLN 0,823*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 830W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolar...

IXYS

IXFK200N10P

od PLN 42,38*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 17,3 A TO-247-4 1200 V 0,16 oma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = NVH Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,16 ...

onsemi

NVH4L160N120SC1

od PLN 28,945*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 38,9A; 155W; D2PAK (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 38,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 155W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FQB55N10TM

od PLN 4,24*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 541 542 543 544 545 546 547 548 549 550 551 .. 1394 Dalej

Tranzystor (20 901 ofert spośród 4 927 648 artykułów)

"Tranzystor"