Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 304 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A WDFN 80 V SMD 0,05 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = NVT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,05...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
od PLN 4,785*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN TSFP-4 15 V Montaż powierzchniowy 12 mA BFP405H6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 12 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 15 V Typ opakowania = TSFP-4 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP405H6327XTSA1
od PLN 0,779*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-7 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
Infineon
IPB027N10N3GATMA1
od PLN 9,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona NPN 30 V Montaż powierzchniowy SOT-23 (TO-236 Pojedynczy (1 Oferta) 
Numery części producenta z przedrostkiem S lub NSV są przeznaczone dla motoryzacji zgodnie ze standardem AEC-Q101. Tranzystory NPN Darlington, ON Semiconductor
onsemi
MMBTA13LT1G
od PLN 294,51*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 72ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W ...
IXYS
IXTA180N10T
od PLN 12,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 14,4A; 20,2W; WSON6; 2x2mm (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: WSON6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 14,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20,2W Polaryz...
Texas Instruments
CSD19538Q2T
od PLN 2,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 149 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 149 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSC0901NSATMA1
od PLN 1,876*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 11,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,6W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI4056DY-T1-GE3
od PLN 1,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN TSFP-4-1 13 V Montaż powierzchniowy 150 mA BFP650H6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 150 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 13 V Typ opakowania = TSFP-4-1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP650H6327XTSA1
od PLN 0,623*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 127A; 250W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 127A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tu...
Infineon
IRFSL4310ZPBF
od PLN 5,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor Darlingtona NPN 30 V Montaż powierzchniowy SOT-23 Pojedynczy (1 Oferta) 
Numery części producenta z przedrostkiem S lub NSV są przeznaczone dla motoryzacji zgodnie ze standardem AEC-Q101. Tranzystory NPN Darlington, ON Semiconductor
onsemi
MMBTA13LT3G
od PLN 946,20*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
BSZ440N10NS3GATMA1
od PLN 1,286*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 5-pinowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = SMV Liczba styków = 5
Toshiba
2SK2145-BL(TE85L,F)
od PLN 1,808*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 15,5A; 13,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 15,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 13...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2910L
od PLN 1,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 15 A PowerFLAT 8 x 8 HV 600 V SMD Pojedynczy 110 W 215 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PowerFLAT 8 x 8 HV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezys...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
od PLN 7,665*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   531   532   533   534   535   536   537   538   539   540   541   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.