Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 1 001/1 394)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT70GR120JD60

od PLN 156,44*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: prz...

YANGJIE TECHNOLOGY

MG50U12GJ

od PLN 78,14*
za szt.

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 48A (1 Oferta)

Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 100A Z...

Powersem

PSIS 75/06

od PLN 55,44*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-UZ (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-UZ Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 75A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: pr...

YANGJIE TECHNOLOGY

MG75UZ12GJ

od PLN 77,92*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 34A Prąd kolektora w ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT45GP120J

od PLN 164,16*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50GF120JRD

od PLN 199,52*
za szt.

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 65A (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: E3-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 65A Prąd kolektora w impulsie: 150A Zastoso...

IXYS

MUBW75-06A8

od PLN 340,53*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT40GF120JRD

od PLN 172,99*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT100GT120JR

od PLN 210,32*
za szt.

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; falownik 3-poziomowy 1-fazowy (1 Oferta)

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L3.1 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsi...

STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD75MLX65L3S

od PLN 168,06*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 86A Montaż elektryczny: przykręcany Montaż mechaniczny: przykręcany T...

IXYS

IXG70IF1200NA

od PLN 83,70*
za szt.

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-UZ Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: pr...

YANGJIE TECHNOLOGY

MG50UZ12GJ

od PLN 77,96*
za szt.