| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 8WVXN-MG50U12GJ-YAN Nr producenta: MG50U12GJ EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: przykręcany Montaż mechaniczny: przykręcany Typ modułu: IGBT |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, Obudowa GJ, Obudowa podtynkowa, Obudowa rozdzielni podtynkowa, Obudowa do wyłączników silnikowych, Rozdzielnia podtynkowa, Rozdzielnie podtynkowe, Rozdzielnica podtynkowa, Rozdzielnice podtynkowe, Rozdzielnica wnękowa, Rozdzielnice wnękowe, Szafka podtynkowa, Szafki podtynkowe, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |