Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 917 ofert spośród 4 919 130 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 63A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 63A Prąd kolektora w impulsie: 150A Z...
Powersem
PSIS 100/06
od PLN 77,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek asymetryczny; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT150DH60TG
od PLN 502,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 85A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E3-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 200A Zastoso...
IXYS
MUBW100-06A8
od PLN 325,25*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 48A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 100A Z...
Powersem
PSIS 75/06
od PLN 55,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E1-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 18A Zastosowa...
IXYS
MUBW10-06A6K
od PLN 83,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; GJ-UZ (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-UZ Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impu...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100UZ12GJ
od PLN 80,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck-boost chopper; Urmax: 3,3kV (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-IHVB190 Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 1kA Prąd kolektora w im...
Infineon
FD1000R33HE3KBPSA1
od PLN 9 067,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 65A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E3-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 65A Prąd kolektora w impulsie: 150A Zastoso...
IXYS
MUBW75-06A8
od PLN 342,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; falownik 3-poziomowy 1-fazowy (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L3.1 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD75MLX65L3S
od PLN 169,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; AG-62MM (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w...
Infineon
FZ400R12KS4HOSA1
od PLN 467,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; Trench (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: Dual INT-A-Pak Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 72...
Vishay
VS-GT300YH120N
od PLN 722,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E3-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 125A Prąd kolektora w impulsie: 200A Moc ro...
IXYS
MKI100-12F8
od PLN 707,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 57A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GP120J
od PLN 183,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 300A Zas...
IXYS
VVZB170-16IOXT
od PLN 367,50*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tyrystor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tyrystor/IGBT Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 84A Prąd kolektora w impulsie: 225A Zast...
IXYS
VVZB135-16IOXT
od PLN 362,85*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1001   1002   1003   1004   1005   1006   1007   1008   1009   1010   1011   ..   1395   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.