Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 886 ofert spośród 4 905 656 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y4-M5 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Prąd kolektora: 50A Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON Montaż mechaniczny...
IXYS
MG1750S-BN4MM
od PLN 308,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w imp...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGLQ100A120TG
od PLN 492,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: HW9434 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
DACO Semiconductor
DAGNH751200
od PLN 153,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 3,3kV (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 250A Prąd kolektora w impulsie: 500A Mont...
ABB
5SNG 0250P330305
od PLN 3 440,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V3 62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 400...
HUAJING
HFGM200D12V3
od PLN 253,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 600A Mo...
IXYS
MG12300D-BN2MM
od PLN 831,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: 62PAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 400A Mont...
ABB
5SNG 0200Q170300
od PLN 354,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: HW9434 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
DACO Semiconductor
DAGNH75600
od PLN 119,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: HW9434 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w imp...
DACO Semiconductor
DAGNH1501200
od PLN 239,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y4-M5 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie: 300A Mon...
IXYS
MG12150S-BN2MM
od PLN 381,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SimBus F Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Prąd kolektora: 435A Montaż elektryczny: Press-in PCB Montaż mechaniczny: przykręcan...
IXYS
MIXG450PF1700TSF
od PLN 951,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w imp...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT600A60G
od PLN 1 384,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: HW9434 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w imp...
DACO Semiconductor
DAGNH2001200
od PLN 300,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 3,3kV (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-XHP100-6 Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolekto...
Infineon
FF450R33T3E3B5BPSA1
od PLN 6 909,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 600A Mo...
IXYS
MG06300D-BN4MM
od PLN 529,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1001   1002   1003   1004   1005   1006   1007   1008   1009   1010   1011   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.