Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 958 ofert spośród 4 927 261 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 60A; 67W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 67W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK40E06N1,S1X(S
od PLN 2,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TSOT-26 20 V SMD 0.034 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSOT-26 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Diodes
DMN2024UVTQ-7
od PLN 0,913*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69 A TO-247 250 V 0.022 Ω (1 Oferta) 
Infineon strong IRFET™ ma maksymalne napięcie źródła 250V przy maksymalnym natężeniu prądu stałego 69A w OBUDOWIE TO-247AC. Ma zastosowania w zastosowaniach wzlotów i inwertera, topologie półmostko...
Infineon
IRF250P225
od PLN 17,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 58A; 110W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK58E06N1,S1X
od PLN 2,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TSOP-6 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SQ3426CEV-T1_GE3
od PLN 1 981,74*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPA040N06NXKSA1
od PLN 3,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 67,4 A PowerPAK 1212-8SH 30 V SMD 0.00325 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 67,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
od PLN 1,914*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża m...
Nexperia
BUK7Y8R7-60EX
od PLN 3,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A Urządzenie HiP247 1700 V 1.66 Ω (1 Oferta) 
MOSFET SiCMOSFET z węglika krzemu STMicroelectronics jest produkowany z wykorzystaniem Advanced, innowacyjnych właściwości materiałów o szerokich przepustach. Powoduje to niedoścignięcie oporu na j...
ST Microelectronics
SCT1000N170
od PLN 46,055*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 80A; 175W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDB070AN06A0
od PLN 7,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69.2 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0108 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMT68M8LPS-13
od PLN 1,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 6,8A; 3,2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 6,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,2W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
SI4436DY-T1-GE3
od PLN 1,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,1 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 2 W 55 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMN6040SE-13
od PLN 0,531*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 7,1A; 3,3W; SO8 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: VISHAY Montaż: SMD O...
Vishay
SI4850EY-E3
od PLN 1,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 68 A PG-TDSON-8 120 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 68 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC120N12LSGATMA1
od PLN 9,91*
za 2 szt.
 
 paczka
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   941   942   943   944   945   946   947   948   949   950   951   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.