Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 918 850 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28,4W...
Infineon
IPD65R1K4CFDBTMA1
od PLN 1,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk...
Infineon
IPLK80R750P7ATMA1
od PLN 2,332*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 650 V 0.225 O. (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seria CoolMOS C...
Infineon
IPA65R225C7XKSA1
od PLN 6,281*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 80A; 310W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 310W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDP038AN06A0
od PLN 9,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,6 A TO-220 FP 550 V 0.8 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 550 V Seria = CoolMOS™ CE Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPA50R800CEXKSA2
od PLN 1,329*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167W P...
Infineon
IPP037N06L3GXKSA1
od PLN 3,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151...
Infineon
IPP65R190C6XKSA1
od PLN 6,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 7 A (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 7 A Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba ...
ST Microelectronics
STP80N600K6
od PLN 8,192*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Infineon
IPB054N06N3GATMA1
od PLN 3,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 800 V 0.75 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220 FP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IPA80R750P7XKSA1
od PLN 4,094*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPA032N06N3 G tranzystor 30 V (1 Oferta)
Infineon
IPA032N06N3GXKSA1
od PLN 7,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,7 A DPAK (TO-252) 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRLR014PBF
od PLN 1,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 92A; Idm: 389A; 149W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 92A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 149W Polaryzacja...
Nexperia
PSMN7R6-60PS,127
od PLN 4,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,2 A TO-252 650 V SMD 1 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ CE Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IPD65R1K0CEAUMA1
od PLN 1,475*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2...
IXYS
IXTH20N65X2
od PLN 14,32*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   941   942   943   944   945   946   947   948   949   950   951   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.