Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 67,4 A PowerPAK 1212-8SH 30 V SMD 0.00325 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2282929
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SiSH536DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 67,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V
Seria = TrenchFET
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.00325 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.2V
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
67,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
30 V
Typ opakowania:
PowerPAK 1212-8SH
Seria:
TrenchFET
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.00325 Ω
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
2.2V
Liczba elementów na układ:
1
Materiał tranzystora:
Si
Dalsze słowa kluczowe: 2282929, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiSH536DNT1GE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1,914*
  
Cena obowiązuje od 75 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 25 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 25 szt.
PLN 2,404*
PLN 2,957
za szt.
od 50 szt.
PLN 2,384*
PLN 2,932
za szt.
od 125 szt.
PLN 2,334*
PLN 2,871
za szt.
od 250 szt.
PLN 2,224*
PLN 2,736
za szt.
od 500 szt.
PLN 2,184*
PLN 2,686
za szt.
od 75000 szt.
PLN 1,914*
PLN 2,354
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.