| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282929 Nr producenta: SiSH536DN-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 67,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.00325 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.2V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 67,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | PowerPAK 1212-8SH | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.00325 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282929, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiSH536DNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |