Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 935 ofert spośród 5 040 021 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,7A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK14A65W,S5X(M
od PLN 7,45*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW65R048CFDA tranzystor 120 V (1 Oferta)
Infineon
IPW65R048CFDAFKSA1
od PLN 34,158*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W P...
IXYS
IXTA12N65X2
od PLN 8,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69,4 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Ro...
Vishay
SIS184LDN-T1-GE3
od PLN 3,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28,4W...
Infineon
IPD65R1K4CFDBTMA1
od PLN 1,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-247-4 650 V 39 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ST Microelectronics
STW68N65DM6-4AG
od PLN 40,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Infineon
IPB054N06N3GATMA1
od PLN 3,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 68 A DFN 60 V SMD 57,5 W 6,5 milioma (1 Oferta) 
Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm) Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika NVMFD5C668N...
onsemi
NVMFD5C668NLT1G
od PLN 4,852*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPI65R280E6XKSA1
od PLN 5,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXTP12N65X2M
od PLN 8,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69.3 A PowerPAIR 3 x 3S 30 V SMD 0.00856 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiZ340BDT-T1-GE3
od PLN 4,06*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151...
Infineon
IPP65R190C6XKSA1
od PLN 6,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-262 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = TO-262 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IRFS4127TRLPBF
od PLN 9,618*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 68 A PG-TDSON-8 120 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 68 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC120N12LSGATMA1
od PLN 2,46654*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPB65R280E6ATMA1
od PLN 5,70*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   941   942   943   944   945   946   947   948   949   950   951   ..   1529   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.