|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1784301 Nr producenta:
NVMFD5C668NLT1G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm) Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika NVMFD5C668NLWF − opcja końcówek wyprowadzeń odpornych na zawilgocenie usprawniająca kontrolę optyczną Zgodność z procesem PPAP Urządzenia bez zawartości ołowiu Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 68 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 6,5 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 57,5 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1784301, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMFD5C668NLT1G |
| | |
| |