Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 033 ofert spośród 4 841 341 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 6,75A; Idm: 40A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzac...
Diodes
DMN3030LSS-13
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TDFN4 650 V SMD 0.095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTMT095N65S3H
od PLN 19,207*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 52A; 14W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 14W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6384
od PLN 1,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 4A; 1,8W; SC70 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,8W Polaryzacja: unipolarny ...
Vishay
SI1428EDH-T1-GE3
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V
Infineon
BSC0902NSATMA1
od PLN 1,928*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6,2 A SOT-23 30 V SMD 0.25 O. (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET serii DiodesZetex DMN3028LQ został zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań zastosowań motoryzacyjnych.Wysoka szybkość przełączania Niski przeciek na wejściu/wyjściu B...
Diodes
DMN3028LQ-7
od PLN 0,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TDFN4 650 V SMD 0.095 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...
onsemi
NTMT095N65S3H
od PLN 14,795*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 6,8A; Idm: 36A; 2,8W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,8W Polaryzacj...
Diodes
DMN3024LSS-13
od PLN 0,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTP095N65S3H
od PLN 18,557*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC080N03MSGATMA1
od PLN 1,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247 650 V 0.09 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = TK090N65Z Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
od PLN 20,679*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 300 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPLU300N04S4R8XTMA1
od PLN 18,496*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC0925NDATMA1
od PLN 1,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTP095N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.09...
onsemi
NTP095N65S3H
od PLN 14,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220SIS 650 V 0.09 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor Toshiba MOSFET z kanałem N o wysokich właściwościach przełączania i mniejszej pojemności. Jest on stosowany głównie w przełączaniu zasilaczy.Niska rezystancja wł. Źródła odpływu 0.075 ? ...
Toshiba
TK090A65Z,S4X(S
od PLN 17,506*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.