 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTH4LN095N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0... |
|
od PLN 25,494*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 310 A WHSON 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = WHSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
|
od PLN 7,393*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC050N03MSGATMA1 |
od PLN 1,15*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-263-7 1200 V SMD 80 MO (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 80... |
ROHM Semiconductor SCT3080KW7TL |
od PLN 54 508,16*
za 1 000 szt. |
|
|
|
Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1 |
od PLN 22 064,832*
za 1 800 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6358 |
od PLN 1,46*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
ROHM Semiconductor SCT3080ARHRC15 |
od PLN 25,875*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AO4566 |
od PLN 0,62*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 310 mA UMT3 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
ROHM Semiconductor BSS138WT106 |
od PLN 0,161*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC042N03LSGATMA1 |
od PLN 1,36*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-3PF 600 V SMD 0.13 Ω (1 Oferta) MOSFET mocy ROHM ma TYP OPAKOWANIA TO-3PF. Jest on używany głównie do przełączania aplikacji.Krótki czas odzyskiwania (trr) Niska rezystancja w stanie włączenia Wysoka szybkość przełączania Możliwo... |
ROHM Semiconductor R6030KNZC17 |
od PLN 20,83*
za szt. |
|
|
|
Texas Instruments CSD17313Q2T |
od PLN 2,44*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 300 A PowerDI1012-8 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerDI1012-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u... |
|
od PLN 15 541,335*
za 1 500 szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 6A; 1W; SOT23F (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT23F Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny... |
|
od PLN 1,72*
za 5 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-252 55 V SMD 0.0147 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st... |
Infineon IPD30N06S215ATMA2 |
od PLN 2,941*
za szt. |
|
|
