MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 780/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: WSON6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 17W Polaryzacja: ...

Texas Instruments

CSD17313Q2T

od PLN 2,50*
za szt.

Infineon BSC0909NS tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

BSC0909NSATMA1

od PLN 0,89*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 302 A PG-TO263-7 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 302 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...

Infineon

IPF009N04NF2SATMA1

od PLN 6,986*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 302 A PG-TO263-7 40 V SMD (1 Oferta)

Infineon

IPF009N04NF2SATMA1

od PLN 9,77*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 6A; Idm: 60A; 1,42W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,42W Polaryzacja...

Diodes

DMG4496SSS-13

od PLN 0,48*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220FP 600 V 0,082 oma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = Mdmesh M6 series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...

ST Microelectronics

STL47N60M6

od PLN 18,093*
za szt.

Infineon IPT007N06N tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

IPT007N06NATMA1

od PLN 14,90*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 350V; 0,13A; 2,5W; SOT223 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 350V Prąd drenu: 0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarn...

IXYS

CPC3708ZTR

od PLN 1,40*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 305 mA SOT-563F 60 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 305 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-563F Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SI1026X-T1-GE3

od PLN 0,593*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 305 mA SOT-563F 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 305 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-563F Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Vishay

SI1026X-T1-GE3

od PLN 0,721*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 7,5A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Pola...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4496

od PLN 0,58*
za szt.

Infineon IPW60R070CFD7 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPW60R070CFD7XKSA1

od PLN 526,7601*
za 30 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3,3x3,3mm (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacj...

Texas Instruments

CSD17581Q3AT

od PLN 2,11*
za szt.

Infineon IAUT300N08S5N012 tranzystor 80 V (2 ofert)

Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2

od PLN 9,969*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 31 A DO 263 650 V SMD 0.099 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Infineon

IPB60R099P7ATMA1

od PLN 10,452*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 781 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 033 ofert spośród 4 841 302 artykułów)

"MOSFET"