| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2069724 Nr producenta: TK090A65Z,S4X(S EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor Toshiba MOSFET z kanałem N o wysokich właściwościach przełączania i mniejszej pojemności. Jest on stosowany głównie w przełączaniu zasilaczy.Niska rezystancja wł. Źródła odpływu 0.075 ? Temperatura przechowywania od -55 do 150°C. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-220SIS | Seria: | TK090A65Z | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.09 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2069724, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, TK090A65Z,S4X(S |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |