Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 66W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQPF45N15V2
od PLN 5,37*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH5215TRPBF
od PLN 14 438,88*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 2,5 A SOT-346T 30 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTR025N03HZGTL
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 197 A PG-TO263-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 197 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPB012N04NF2SATMA1
od PLN 7,393*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,1 A 4-Microfoot 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = 4-Microfoot Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI8824EDB-T2-E1
od PLN 0,522*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 192 A TO-263AB 40 V SMD 0.3 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 192 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMTH4002SCTBQ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Diodes
DMTH4002SCTBQ-13
od PLN 4,531*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 74A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SUP80090E-GE3
od PLN 7,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,5 A SOT-346T 45 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTR025N05HZGTL
od PLN 3 267,18*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 198 A 1212-F 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 198 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1212-F Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SISD5300DN-T1-GE3
od PLN 4,655*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 94...
IXYS
IXTH240N15X4
od PLN 35,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,1 A SOT-23 60 V SMD 0.192 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SI2308BDS-T1-E3
od PLN 0,719*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 193 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 193 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
ISC017N04NM5ATMA1
od PLN 14,30*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 2,5 A TO-220AB 500 V Pojedynczy 50 W 3 omy (3 ofert) 
MOSFET, MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF820PBF
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TSDSON-8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W ...
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1
od PLN 6,35*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 2.7 omów (1 Oferta) 
Technologia CoolMOS™ C3A firmy Infineon została zaprojektowana w celu sprostania rosnącym wymaganiom w zakresie wyższego napięcia w systemach pojazdów elektrycznych, takich jak PHV i BEV.Najlepsza ...
Infineon
IPD80R2K7C3AATMA1
od PLN 3,76*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   661   662   663   664   665   666   667   668   669   670   671   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.