Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 870 ofert spośród 5 026 732 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 200 A DDPAK/ TO-263 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DDPAK/ TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD19532KTT
od PLN 4,025*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 140A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polary...
Microchip Technology
APT37M100L
od PLN 90,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,8 A SOT-223 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba e...
Infineon
IRFL024NTRPBF
od PLN 0,641*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPG20N04S408AATMA1
od PLN 11 248,70*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 41ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
IXYS
IXTA6N100D2
od PLN 18,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A HSOF-5 40 V SMD 0.001 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET mocy Infineon OptiMOS™-5 z serii N. Jest on używany do zastosowań motoryzacyjnych.N-Channel (kanał N) - Tryb wzmocnienia - Normal Level (poziom normalny) MSL3 do 260°C Relow Peak ...
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
od PLN 3,375*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polaryz...
Microchip Technology
APT10045LLLG
od PLN 109,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,9 A PICOSTAR 12 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = PICOSTAR Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD13383F4T
od PLN 1,356*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polaryz...
Microchip Technology
APT10035LFLLG
od PLN 135,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,9 A IPAK (TO-251) 800 V 2.5 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2.5 Ω Mak...
Vishay
SIHU2N80AE-GE3
od PLN 1,453*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 266W Polaryz...
Microchip Technology
APT1001R6BFLLG
od PLN 111,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK56E 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = LFPAK56E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMN2R0-55YLHX
od PLN 5,782*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFX26N100P
od PLN 102,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,9 A SOT-323 20 V SMD 0.56 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN2053UW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Diodes
DMN2053UWQ-7
od PLN 1,205*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 3,1 A TO-247AC 1000 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1000 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFPG30PBF
od PLN 5,58*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   661   662   663   664   665   666   667   668   669   670   671   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.