Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 107A; 187,5W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 107A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 187...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT2500L
od PLN 8,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 197 A TO-220 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 197 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Infineon
SP005633186
od PLN 6,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48...
IXYS
IXTP150N15X4
od PLN 20,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 190 A D2PAK 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 190 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D2PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16
Infineon
SP005631626
od PLN 22,271*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 3,1A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 53mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS2572
od PLN 3,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 192 A 1212-8SLW 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 192 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
Vishay
SQS120ELNW-T1_GE3
od PLN 3,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 107A; 375W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 107A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB2500L
od PLN 5,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 2.7 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
SPD02N80C3ATMA1
od PLN 2,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62W Polaryzacja: uni...
Vishay
SUD15N15-95-E3
od PLN 3,869*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 190 A D2PAK-7 100 V SMD 4.1 MO (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor Infineon 100V HEXFET Power MOSFET w 7-stykowym opakowaniu typu D2-Pak.Zoptymalizowany dla dysku Logic Level Bardzo niski RDS (WŁĄCZONY) przy 4,5 V VGS Wyższa wartość R*Q pr...
Infineon
IRLS4030TRL7PP
od PLN 13,337*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,4 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 480 mW 110 miliomów (2 ofert) 
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
onsemi
NTR4170NT1G
od PLN 0,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 2,6A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 146mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDS2582
od PLN 2,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 192 A TDSON-8 FL 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 192 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSC019N06NSATMA1
od PLN 6,469*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W...
Infineon
IPB048N15N5LF
od PLN 19,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2 A IPAK (TO-251) 950 V 0.37 Ω (1 Oferta) 
Model Infineon zaprojektowany z myślą o rosnących potrzebach klientów na rynku tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, najnowsza technologia CoolMOS™ P7 950V skupia się na rynku SMPS o niskiej mocy...
Infineon
IPU95R3K7P7AKMA1
od PLN 1,85*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   661   662   663   664   665   666   667   668   669   670   671   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.