Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 94...
IXYS
IXTH240N15X4
od PLN 35,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,5 A SOT-346T 30 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSR025N03HZGTL
od PLN 0,789*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,2 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 1,5 W 205 miliomów (2 ofert) 
Motoryzacja MOSFET. 60 V, 155 MOhm, pojedynczy poziom układów logicznych N-Channel, SOT-23.Zestaw SOT-23 do montażu powierzchniowego małych rozmiarów Niski sygnał RDS (włączony) umożliwiający zmnie...
onsemi
NVR5198NLT1G
od PLN 0,378*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,46Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10045LFLLG
od PLN 107,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2.8 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 900 mW 65 miliomów (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET o mocy N-Channel, Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
TSM2302CX RFG
od PLN 0,424*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 8A; 16W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 16W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF454L
od PLN 3,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,2 A DPAK (TO-252) 500 V SMD 2 Ω (1 Oferta) 
Ten Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET to zoptymalizowana pod względem ceny platforma umożliwiająca adresowanie aplikacji o znaczeniu kosztom na rynku konsumenckim i oświetleniowym, spełniająca najw...
Infineon
IPD50R2K0CEAUMA1
od PLN 0,813*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 31A; 220W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 220W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQP45N15V2
od PLN 6,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,5 A SOT-346T 45 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSR025N05HZGTL
od PLN 3 704,88*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,1A; 25W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: unipolarny R...
IXYS
IXTU01N100
od PLN 6,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,2 A TO-220AB 600 V Pojedynczy 50 W 4,4 oma (2 ofert) 
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFBC20PBF
od PLN 2,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W...
IXYS
IXTX24N100
od PLN 83,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A DFN 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTMFS5C645NT1G
od PLN 5,265*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 170V; 320A; 1670W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFK320N17T2
od PLN 86,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,25 A POWERPAK SC-70W-6L 30 V SMD 0.095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = N-Channel 30 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-...
Vishay
SQA470CEJW-T1_GE3
od PLN 1,98*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   661   662   663   664   665   666   667   668   669   670   671   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.