MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 651/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPW60R125CFD7 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPW60R125CFD7XKSA1

od PLN 13,778*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 18 A TO-247-4 600 V 180 MO (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

Infineon

IPZA60R180P7XKSA1

od PLN 11,028*
za szt.

Infineon IPA050N10NM5S tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IPA050N10NM5SXKSA1

od PLN 7,79*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 18,5 A TO-220 80 V (1 Oferta)

Infineon IPP055N08NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 80 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. T...

Infineon

IPP055N08NF2SAKMA1

od PLN 3,114*
za szt.

Infineon IRFP4710 tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IRFP4710PBF

od PLN 8,98*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 180 A D2PAK-7 100 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta)

To Infineon OptiMOS MOSFET oferuje najnowocześniejsze R DS(on) trench MOSFET wraz z szerokim bezpiecznym obszarem działania klasycznego planarnego MOSFET.Doskonale sprawdza się w zastosowaniach z f...

Infineon

IPB017N10N5LFATMA1

od PLN 23,723*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 6,9A; 42W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 6,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipo...

Vishay

IRFI530GPBF

od PLN 1,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W P...

IXYS

IXTA64N10L2

od PLN 35,34*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 18 A TO-263-7 1200 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ...

Infineon

IMBG120R220M1HXTMA1

od PLN 21,101*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 48A; 45,5W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45,...

Alpha & Omega Semiconductor

AONS62920

od PLN 1,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 75A; 103W; TO220 (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryzacja: unipol...

Toshiba

TK34E10N1,S1X(S

od PLN 2,87*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 180 A H2PAK-2 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 180 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = STH200 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksyma...

ST Microelectronics

STH200N10WF7-2

od PLN 22,581*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 59ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176W Po...

IXYS

IXTA60N10T

od PLN 5,28*
za szt.

Infineon IPZA60R180P7 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPZA60R180P7XKSA1

od PLN 7,94*
za szt.

Infineon IPA045N10N3 G tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

IPA045N10N3GXKSA1

od PLN 6,54*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 651 652 653 654 655 656 657 658 659 660 661 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 035 ofert spośród 4 841 123 artykułów)

"MOSFET"