Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 956 ofert spośród 4 926 710 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
BSC026N08NS5ATMA1
od PLN 28 817,65*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 75A; 103W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryzacja: unipol...
Toshiba
TK34E10N1,S1X(S
od PLN 2,87*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R185P7AUMA1
od PLN 4,644*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 180 A TO-220AB 40 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 180 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RX3G18BGNC16
od PLN 12,596*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPI041N12N3GAKSA1
od PLN 9,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 192 A 1212-8SLW 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 192 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
Vishay
SQS120ELNW-T1_GE3
od PLN 9 636,24*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
AUIRFB8405
od PLN 9,788*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 19 A TO-220 600 V Pojedynczy 33 W 182 miliomy (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 19 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SIHA22N60EF-GE3
od PLN 6,502*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 90A; 156W; 76ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024d Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
IXYS
IXTF200N10T
od PLN 28,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 181.8 A PowerPAK 1212-8S 30 V SMD Pojedynczy 65,8 W 2.01 mΩ (2 ofert) 
N-kanałowy 30 V (D-S) tranzystora MOSFET z dioda Schottkyego.Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji SKYFET® z monolityczną dioda Schottkyego Zoptymalizowany system RDS x Qg oraz RDS x Qgd FOM um...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
od PLN 2,248*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC019N06NSATMA1
od PLN 20,72*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 65ns Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 577W...
IXYS
IXTP140N12T2
od PLN 13,07*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ013NE2LS5IATMA1
od PLN 3,3374*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 19 A TO-220 650 V 0.165 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 19 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTP165N65S Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
onsemi
NTP165N65S3H
od PLN 8,593*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: un...
Vishay
SUM90N10-8M2P-E3
od PLN 6,98*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   651   652   653   654   655   656   657   658   659   660   661   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.