| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2800029 Nr producenta: SQS120ELNW-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 192 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tranzystora = Krzem Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 192 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | 1212-8SLW | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2800029, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQS120ELNWT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |