| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2286550 Nr producenta: IPP055N08NF2SAKMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon IPP055N08NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 80 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. Ten tranzystor mosfet ma zwiększoną zdolność do przenoszenia prądu.Zoptymalizowany do szerokiej gamy zastosowań Kanał N, poziom normalny W 100% przebadany pod kątem zjawiska lawinowego Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 18,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | IPP055N08NF2S | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.8V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2286550, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPP055N08NF2SAKMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |