 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 6,2A; 2W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Pol... |
Alpha & Omega Semiconductor AO4292E |
od PLN 0,86*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB60R040CFD7ATMA1 |
od PLN 18,996*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,9 A SO-8 100 V SMD (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba ... |
|
od PLN 2,422*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,427*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,97*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220 FP 600 V 0.18 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
Infineon IPA60R180P7SXKSA1 |
od PLN 4,374*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 187 A H-PSOF8L 150 V 4,4 milioma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 187 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = H-PSOF8L Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 4,4 milioma Maksymalne n... |
|
od PLN 14,33*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,94*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPW60R125CFD7XKSA1 |
od PLN 13,728*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,27*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 180 A D2PAK-7 100 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta) To Infineon OptiMOS MOSFET oferuje najnowocześniejsze R DS(on) trench MOSFET wraz z szerokim bezpiecznym obszarem działania klasycznego planarnego MOSFET.Doskonale sprawdza się w zastosowaniach z f... |
Infineon IPB017N10N5LFATMA1 |
od PLN 23,793*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,55*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220 FP 650 V 180 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 180... |
Infineon IPB60R040CFD7ATMA1 |
od PLN 24,238*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPA045N10N3GXKSA1 |
od PLN 6,53*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 187 A TDSON 80 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 187 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon BSC025N08LS5ATMA1 |
od PLN 10,842*
za szt. |
|
|
