Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 841 123 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2981
od PLN 6,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 175 A DFNW8 150 V SMD 0.005 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMTS4D3N15MC
od PLN 18,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 48A; 45,5W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6220
od PLN 2,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 176 A TSDSON-8 FL 25 V SMD 0.00145 O. (1 Oferta) 
Seria Infineon oferuje szeroką i wszechstronną ofertę urządzeń MOSFET, w tym CoolMOS, OptiMOS i sil rodziny IRFET. Dzięki rodzinie produktów OptiMOS-5 25V i 30V firma Infineon oferuje rozwiązania w...
Infineon
BSZ014NE2LS5IFATMA1
od PLN 3,998*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 33A; 125W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipola...
Toshiba
TK33S10N1L,LQ(O
od PLN 4,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 18 A 10 x 12 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIHK155N60EF-T1GE3
od PLN 26,956*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60R180P7ATMA1
od PLN 9 495,10*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Infineon
BSC265N10LSFGATMA1
od PLN 2,54*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1
od PLN 17,362*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,6 A TO-220AB 100 V Pojedynczy 3,7 W 540 miliomów (2 ofert) 
N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRL510PBF
od PLN 1,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 18 A 8 x 8 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = 8 x 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIHH155N60EF-T1GE3
od PLN 27,272*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 35A; 33W; DFN3.3x3.3 EP (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN3.3x3.3 EP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasz...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7290
od PLN 3,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 18 A DirectFET izometryczny 150 V SMD 0.056 O. (1 Oferta) 
Infineon łączy w sobie najnowszą technologię krzemowej tranzystora MOSFET mocy motoryzacji HEXFET z platformą pakowania Advanced, aby stworzyć najlepszą w swojej klasie pozycję do zastosowań wzmacn...
Infineon
AUIRF7675M2TR
od PLN 5,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 18 A PowerFLAT 8 x 8 HV 600 V SMD 0.186 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 18 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = STL24N60M2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
ST Microelectronics
STL24N60M2
od PLN 6,294*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 42A; Idm: 90A; 2,8W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,8W Polary...
Diodes
DMNH10H028SCT
od PLN 2,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   641   642   643   644   645   646   647   648   649   650   651   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.