 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 367,049*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (2 ofert) Infineon IKW50N65EH5 to wysokoprędkościowe tranzystory IGBT z twardym przełączaniem o napięciu 650 V, które współpracują z technologią diod Rapid si. Ma wyższą gęstość mocy i ma niskie COE/EOSS.Wsp... |
|
od PLN 8,964*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 4 108,37*
za 10 szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z potężną monolityczną diodą korpusu o niskim napięciu do przodu, zaprojektowany z myślą o miękkim komutacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy p... |
|
od PLN 10,04*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 8,024*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 3,35 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 3,35 kW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montaż... |
|
od PLN 2 081,32*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 |
od PLN 409,36*
za szt. |
|
100% |
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 53,5A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 22... |
Infineon AIKW50N65DH5XKSA1 |
od PLN 24,03*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2 |
od PLN 378,121*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 467,493*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411 |
Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 |
od PLN 441,291*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 85 A Uce 650 V PG-TO247-3 227 W (2 ofert) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką piątej generacji Infineon o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektrom... |
|
od PLN 5,841*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP50R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 305,502*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 2,14*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 1,441*
za szt. |
|
|
