 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
IGBT Ic 90 A Uce 650 V PG-TO247-3 395 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb... |
|
od PLN 17,71*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 207,09*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO247-3 428 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 428 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków... |
|
od PLN 20,471*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V PG-TO247-3 187 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w technologię Fieldstop z miękką diodą antyrównoległą sterowaną emiterem szybko odzyskującą ciepło.Wysoka sprawność Niskie straty... |
|
od PLN 18,04*
za szt. |
|
100% |
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 170W Rodzaj opak... |
|
od PLN 6,08*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP50R12N2T7PBPSA1 |
od PLN 366,488*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 450 A Uce 3300 V. 2 XHP kanał: N 1 mW (1 Oferta) Podwójny moduł IGBT Infineon FF450R33T3E3 zapewnia wysoką stabilność prądu stałego i wysoką odporność na zwarcia, wysoką niezawodność i długi okres eksploatacji. Ma niską indukcyjność i obniża kosz... |
Infineon FF450R33T3E3BPSA1 |
od PLN 3 856,10*
za szt. |
|
100% |
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 90A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 115n... |
|
od PLN 39,03*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 438,735*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IKWH60N65WR6XKSA1 |
od PLN 11,67*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V 6 kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż... |
Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 145,916*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 5,7 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 5,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 1,90*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-711 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2B-711 |
|
od PLN 401,467*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 17,8168*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 60 A Uce 650 V PG-TO247-3 176 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor izolowany bramką Infineon z monolityczną diodą korpusu z przełączaniem dźwiękochłonnym.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłó... |
|
od PLN 4,274*
za szt. |
|
|
