 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon z przełączaniem dźwiękochłonnym o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia el... |
|
od PLN 11,02*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 497,556*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 395 W (2 ofert) Technologia Infineon TRENCHSTOP IGBT5 na nowo definiuje najlepszy w swojej klasie protokół IGBT, co prowadzi do obniżenia temperatury połączeń i obudowy, co prowadzi do większej niezawodności urząd... |
|
od PLN 13,91*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 470,681*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (2 ofert) Infineon IKW50N65EH5 to wysokoprędkościowe tranzystory IGBT z twardym przełączaniem o napięciu 650 V, które współpracują z technologią diod Rapid si. Ma wyższą gęstość mocy i ma niskie COE/EOSS.Wsp... |
|
od PLN 14,492*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 333 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z przełączaniem wysokoprędkościowym Infineon z izolowaną bramką i pełnym prądem znamionowym z diodą antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem ... |
|
od PLN 12,104*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-4 |
|
od PLN 15,773*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 |
od PLN 10,315*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 12,5 A HSOF-8 600 V SMD 0.19 Ω (2 ofert) Infineon Design of Cool MOS™ to rewolucyjna technologia tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seria C... |
Infineon IGT60R190D1SATMA1 |
od PLN 33,96*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
|
od PLN 472,233*
za szt. |
|
100% |
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 53,5A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 22... |
Infineon AIKW50N65DH5XKSA1 |
od PLN 23,80*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 549 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 549 W Typ opakowania = TO-247 Typ monta... |
Infineon IKW75N120CH7XKSA1 |
od PLN 27,549*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 2,15*
za szt. |
|
100% |
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE... |
|
od PLN 14,71*
za szt. |
|
100% |
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 53 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 141 W Typ opakowania = PG-TO247-3-AI Li... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 17,087*
za szt. |
|
|
