 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 2,849*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO263-3 105 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z przełączaniem wysokoprędkościowym Infineon z izolowaną bramką i pełnym prądem znamionowym, diodą antyrównoległą Rapid 1, posiada również napięcie przebicia 650 v.Wysoka sp... |
|
od PLN 8,009*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 19,56*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,58*
za szt. |
|
|
|
SEMIKRON DANFOSS SKM75GB17E4 22895030 |
od PLN 290,17*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 2 690,30*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 30A; 170W; TO247; 1,28mJ (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,77V Prąd kolektora: 30A Prąd kolekt... |
Alpha & Omega Semiconductor AOK30B120D2 |
od PLN 11,08*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO263-3 105 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 105 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczb... |
|
od PLN 5,295*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,04*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 680,662*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,952*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w o... |
Infineon FP35R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 342,70*
za szt. |
|
|
|
SEMIKRON DANFOSS SKIIP 13AC126V1 25230050 |
od PLN 387,92*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V AG-EASY1B-711 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY1B-711 |
Infineon FS35R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 2 906,07*
za 24 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 35A; 230W; TO3PN (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączani... |
|
od PLN 9,51*
za szt. |
|
|
